塑封半導體器件THB試驗

THB試驗是考核塑封器件耐濕性常用的加速試驗方法，一般在高溫高濕試驗箱中進行。通過提高環境溫度及相對濕度，使試驗環境的水汽分壓增加，加大了試驗環境與塑封半導體器件樣品內部的水蒸氣壓力差，進而加劇水汽擴散和吸收：同時施加偏置電壓為加速金屬侵蝕提供了必要的電解電池。加速金屬侵蝕的原因還有:塑封器件所用不同材料的熱失配使封裝體內產生縫隙加速水汽的侵入；封裝材料中的雜質汙染等。

JESD22-A118B無偏壓HAST加速水汽抵抗性測試標準

無偏hast方法是為了評估非密封封裝固態器件在潮濕環境中的可靠性的試驗方法。這是一種高度加速試驗，在非冷凝條件下利用溫度和濕度加速水汽通過外部保護材料（封裝材料或密封件）或沿著外部保護材料和金屬導體之間的界麵滲透。本試驗中不采用偏壓，以確保可能被偏壓掩蓋的失效機製可以被揭示（如電偶腐蝕)。此測試用於識別封裝內部的故障機製，具有破壞性。

高溫高濕環境下光伏組件封裝材料的選型

a)采用0水透的背板（含鋁背板，雙玻）可以有效的防止高濕環境下組件的失效；b)采用較低水透的背板，搭配低VA含量的EVA，可以延緩組件在高濕環境下的衰減；c)需要開發新型背板，能透水同時也能使得醋酸及時釋放，同樣可以有效的防止高濕環境下組件的失效。d)雙85測試可以有效的評估組件能否在高濕環境下運行25年。

芯片與封裝材料耐潮性試驗講解

耐潮性試驗是把器件置於高溫、高濕的環境中受試，使潮氣侵人封裝體，以產生如分層和開裂那樣的缺陷。這種試驗可識別器件對潮氣引起的應力的敏感度，以便使器件能適當地封裝、貯存和搬運，以避免機械損傷。高壓鍋、85C/85%RH和HAST試驗就是耐潮濕試驗。高加速應力與溫度(HAST)試驗正在快速地取代85/85試驗。DHAST試驗按JESD22-A110問進行，條件通常為130C，85%RH,250h。

汽車級IGBT模塊失效機理

IGBT模塊屬於多層封裝結構，各層封裝材料的熱膨脹係數不同。溫度的波動會引起熱膨脹係數不同的各層材料之間的熱失配，從而產生熱應力，其中熱應力集中的部位包括：鍵合線，芯片焊層，底板焊層，見如圖1所示的紅色部位。熱應力不斷的循環累積，首先會使鍵合線和焊接層產生裂紋，終引發鍵合線脫落或焊層大麵積分層導致模塊失效。

塑封元器件高可靠應用中的核心問題分析

雖然塑封材料的改進已使塑封器件的物理性能和可靠性有了很大的提高，但在應用中由於封裝材料本質特征，仍存在由於潮氣入侵和溫度性能差而導致的一些可靠性問題。

芯片JESD22-A102無偏高壓蒸煮試驗箱加速抗濕性試驗

本測試方法主要用於耐濕性評估和強健性測試。樣品放置於一個高壓、高濕環境下，在壓力下濕氣進入封裝，使弱點暴露，如分層、金屬腐蝕。本測試用於評估新封裝或封裝材料變更（塑封料、芯片鈍化層）或設計變更（如芯片、觸點尺寸）。但本試驗不應用於基於封裝的層壓板或膠帶，如FR4材料、聚酰亞胺膠帶等。

高溫老化條件下LED模組封裝材料失效研究

本文針對常見的矽膠和熒光粉為封裝材料的LED模組，選取具有代表性的樣品在高溫條件下進行老化試驗，其目的在於分析封裝材料的失效行為，找到其失效原理。通過在線測量樣品的光照度，獲取在高溫條件下封裝材料的失效規律對LED樣品可靠性的影響。

JESD22-A102封裝IC（芯片）無偏壓高壓蒸煮試驗

晶體矽太陽能電池片冷熱循環試驗(圖)2018-06-158:58麻豆传媒污在线观看儀器-->本測試方法主要用於耐濕性評估和強健性測試。樣品放置於一個高壓、高濕環境下，在壓力下濕氣進入封裝，使弱點暴露，如分層、金屬腐蝕。本測試用於評估新封裝或封裝材料變更（塑封料、芯片鈍化層）或設計變更（如芯片、觸點尺寸）。但本試驗不應用於基於......

組件封裝材料可靠性研究及解決方案

在光伏行業快速發展的今天，如何確保產品質量，維護品牌形象？麵對戶外一種或多種嚴酷的環境考驗，麻豆传媒污在线观看如何對功率衰減和失效率給出25年的質保？這就需要麻豆传媒污在线观看用可靠性測試來驗證太陽能模塊在20年後的老化情形，提前規避客訴問題。